Una Revisión del Futuro del Nitruro de Aluminio en la Electrónica

Autores/as

  • Jhon Daza
  • Carlos Florez
  • Gabriel Torrente

Palabras clave:

Ablación láser, Difracción de rayos X, Magnetrón sputtering, Nitruro de aluminio

Resumen

Este artículo es una revisión del avance y actualidad del nitruro de aluminio (AIN) en la electrónica, de tal manera se muestran las principales características del AlN, haciendo énfasis en sus propiedades estructurales, morfológicas y físicas. Se realizó una revisión acerca del material del AlN, haciendo énfasis en las técnicas de Magnetron Sputtering y Ablación Láser, y se evaluó el efecto de los parámetros de dicho material como, presión de gas ambiente (N2), temperatura de sustrato o tiempo de deposición en la producción del AlN. Adicionalmente se estudió las posibles aplicaciones del AlN y su futuro en la microelectrónica. Se concluye de esta revisión que el AlN pudiera ser el futuro de la optoelectrónica y óptico-acústicos en ambientes extremos, así como también, el AlN pudiera ser el nuevo material de las placas electrónicas en los futuros procesadores de alta potencia.

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Publicado

2022-10-20

Cómo citar

Daza, J. ., Florez, C. ., & Torrente, G. (2022). Una Revisión del Futuro del Nitruro de Aluminio en la Electrónica. Revista EJE - Engineering Journal ECCI, 2(1), 49–58. Recuperado a partir de https://revistas.ecci.edu.co/index.php/eje/article/view/766