Una Revisión del Futuro del Nitruro de Aluminio en la Electrónica
Palabras clave:
Ablación láser (PDL), Difracción de rayos X (DRX), Magnetrón sputtering, Nitruro de aluminio (AIN), Técnicas de síntesisResumen
Este artículo es una revisión del avance y actualidad del nitruro de aluminio (AIN) en la electrónica, de tal manera se muestran las principales características del AlN, haciendo énfasis en sus propiedades estructurales, morfológicas y físicas. Se realizó una revisión acerca del material del AlN, haciendo énfasis en las técnicas de Magnetron Sputtering y Ablación Láser, y se evaluó el efecto de los parámetros de dicho material como, presión de gas ambiente (N2), temperatura de sustrato o tiempo de deposición en la producción del AlN. Adicionalmente se estudió las posibles aplicaciones del AlN y su futuro en la microelectrónica. Se concluye de esta revisión que el AlN pudiera ser el futuro de la optoelectrónica y óptico-acústicos en ambientes extremos, así como también, el AlN pudiera ser el nuevo material de las placas electrónicas en los futuros procesadores de alta potencia.